Vishay SiR626ADP Type N-Channel MOSFET, 165 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR626ADP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

191,07 kr

(exkl. moms)

238,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4019,107 kr191,07 kr
50 - 9015,277 kr152,77 kr
100 - 24013,373 kr133,73 kr
250 - 49012,006 kr120,06 kr
500 +11,704 kr117,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7200
Tillv. art.nr:
SiR626ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

165A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiR626ADP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.25mm

Standards/Approvals

No

Length

5.26mm

Width

1.12 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

Package Power PAK SO-8

TrenchFET Gen IV power MOSFET

relaterade länkar