Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR188DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,61 kr

(exkl. moms)

134,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 020 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +10,761 kr107,61 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3895
Tillv. art.nr:
SiR188DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

relaterade länkar