Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,61 kr

(exkl. moms)

134,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 020 enhet(er) från den 20 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +10,761 kr107,61 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3895
Tillv. art.nr:
SiR188DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.99mm

Höjd

1.07mm

Bredd

5 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Relaterade länkar