Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 334 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

50,29 kr

(exkl. moms)

62,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4950,29 kr
50 - 9937,63 kr
100 - 24933,49 kr
250 - 99932,93 kr
1000 +32,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9969
Tillv. art.nr:
SIRS4600DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

334A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00115Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Reduces switching related power loss

Fully lead (Pb)-free device

relaterade länkar