Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 204 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiDR626LDP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

166,66 kr

(exkl. moms)

208,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 680 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +33,332 kr166,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4957
Tillv. art.nr:
SiDR626LDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

204A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SiDR626LDP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.51mm

Längd

5.9mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Relaterade länkar