Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR180ADP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

82,66 kr

(exkl. moms)

103,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 1 125 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4516,532 kr82,66 kr
50 - 12014,896 kr74,48 kr
125 - 24511,916 kr59,58 kr
250 - 49510,102 kr50,51 kr
500 +9,542 kr47,71 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-5001
Tillv. art.nr:
SiR180ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR180ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar