Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 165 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR626ADP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

31 065,00 kr

(exkl. moms)

38 832,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +10,355 kr31 065,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7199
Tillv. art.nr:
SiR626ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

165A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SiR626ADP

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

104W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

83nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.26mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

6.25mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

Package Power PAK SO-8

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Relaterade länkar