Sök efter MPN

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8

RS-artikelnummer:: 200-6843
Tillv. art.nr:: SIJ150DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

279,65 kr

(exkl. moms)

349,55 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 06 juli 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 - 100	11,186 kr	279,65 kr
125 - 225	10,626 kr	265,65 kr
250 - 600	9,511 kr	237,78 kr
625 - 1225	8,956 kr	223,90 kr
1250 +	7,719 kr	192,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 200-6843
Tillv. art.nr:: SIJ150DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	3.4mm
	Width	0.98 mm
	Length	3.4mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 3.4mm
	Width 0.98 mm
	Length 3.4mm
	Automotive Standard No

Document- SIJ150DP-T1-GE3

The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency

Flexible leads provide resilience to mechanical stress

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar