Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

341,95 kr

(exkl. moms)

427,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 6 650 enhet(er) levereras från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 506,839 kr341,95 kr
100 - 2005,199 kr259,95 kr
250 - 4504,787 kr239,35 kr
500 - 12004,101 kr205,05 kr
1250 +3,557 kr177,85 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6797
Tillv. art.nr:
Si4425FDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

4.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

100% Rg tested

relaterade länkar