Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS50DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

12 543,00 kr

(exkl. moms)

15 678,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,181 kr12 543,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6846
Tillv. art.nr:
SISS50DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

3.3mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay SISS50DN-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar