Sök efter MPN

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS-artikelnummer:: 200-6865
Tillv. art.nr:: SiR106ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

394,575 kr

(exkl. moms)

493,225 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 06 juli 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 - 25	15,783 kr	394,58 kr
50 - 100	13,422 kr	335,55 kr
125 - 225	11,836 kr	295,90 kr
250 - 600	10,268 kr	256,70 kr
625 +	9,462 kr	236,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 200-6865
Tillv. art.nr:: SiR106ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	65.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.15mm
	Height	6.15mm
	Width	5.15 mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 65.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.15mm
	Height 6.15mm
	Width 5.15 mm
	Automotive Standard No

Document- SiR106ADP-T1-RE3

The Vishay SiR106ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar