Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 948,00 kr

(exkl. moms)

19 935,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,316 kr15 948,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6841
Tillv. art.nr:
SIJ150DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.98 mm

Length

3.4mm

Height

3.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency

Flexible leads provide resilience to mechanical stress

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

relaterade länkar