Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 18.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 200-6796
- Tillv. art.nr:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
8 589,00 kr
(exkl. moms)
10 737,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,863 kr | 8 589,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6796
- Tillv. art.nr:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 4.8W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximal effektförlust Pd 4.8W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET
100% Rg tested