Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 110 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR150DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 628,00 kr

(exkl. moms)

14 535,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,876 kr11 628,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6844
Tillv. art.nr:
SIR150DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.97mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Height

6.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIR150DP-T1-RE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

45 V Drain-source break-down voltage

Tuned for low Qg and Qoss

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar