Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 628,00 kr

(exkl. moms)

14 535,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,876 kr11 628,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6844
Tillv. art.nr:
SIR150DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

110A

Maximal källspänning för dränering Vds

45V

Serie

TrenchFET Gen IV

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.97mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.15mm

Bredd

5.15 mm

Höjd

6.15mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay SIR150DP-T1-RE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

45 V Drain-source break-down voltage

Tuned for low Qg and Qoss

100 % Rg and UIS tested