Sök efter MPN

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS-artikelnummer:: 200-6840
Tillv. art.nr:: SIDR638DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

937,325 kr

(exkl. moms)

1 171,65 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 07 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 - 25	37,493 kr	937,33 kr
50 - 100	30,37 kr	759,25 kr
125 - 225	28,116 kr	702,90 kr
250 +	26,253 kr	656,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 200-6840
Tillv. art.nr:: SIDR638DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	204nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15 mm
	Height	0.61mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 204nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.15 mm
	Height 0.61mm
	Automotive Standard No

Document- SIDR638DP-T1-RE3

The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar