Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR106ADP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

23 256,00 kr

(exkl. moms)

29 070,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,752 kr23 256,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6863
Tillv. art.nr:
SiR106ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

65.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.15mm

Height

6.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiR106ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar