Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

134,29 kr

(exkl. moms)

167,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4526,858 kr134,29 kr
50 - 12024,148 kr120,74 kr
125 - 24520,138 kr100,69 kr
250 - 49516,038 kr80,19 kr
500 +13,462 kr67,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5025
Tillv. art.nr:
SiSF20DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

52A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Maximal effektförlust Pd

69.4W

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Gemensam drain

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Längd

3.4mm

Höjd

0.75mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

Relaterade länkar