Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

134,29 kr

(exkl. moms)

167,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4526,858 kr134,29 kr
50 - 12024,148 kr120,74 kr
125 - 24520,138 kr100,69 kr
250 - 49516,038 kr80,19 kr
500 +13,462 kr67,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5025
Tillv. art.nr:
SiSF20DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Common Drain

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

0.75mm

Width

3.4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

relaterade länkar