Vishay N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 200-6847
- Tillv. art.nr:
- SISS50DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
587,90 kr
(exkl. moms)
734,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 11,758 kr | 587,90 kr |
| 100 - 200 | 10,586 kr | 529,30 kr |
| 250 - 450 | 7,647 kr | 382,35 kr |
| 500 - 1200 | 7,058 kr | 352,90 kr |
| 1250 + | 6,469 kr | 323,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6847
- Tillv. art.nr:
- SISS50DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 108A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 108A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SISS50DN-T1-GE3 är en 45 V (D-S) MOSFET med N-kanal.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Mycket låg RDS(on) i en kompakt och termiskt förbättrad kapsel
Optimerat Qg, Qgd och Qgd/Qgs-förhållande minskar omkopplingsrelaterad effektförlust
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 361 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV