Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

498,75 kr

(exkl. moms)

623,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 509,975 kr498,75 kr
100 - 2007,979 kr398,95 kr
250 - 4506,984 kr349,20 kr
500 - 12005,784 kr289,20 kr
1250 +5,387 kr269,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6849
Tillv. art.nr:
SiSS63DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

127.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

236nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

65.8W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

3.3mm

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay SiSS63DN-T1-GE3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar