Vishay N Kanal, MOSFET, 245 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
252-0315
Tillv. art.nr:
SQJQ186E-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

245A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET Gen IV

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.0014mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

214W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Bredd

4.9mm

Höjd

1.9mm

Längd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay fordons-MOSFET-transistorer tillverkas på ett dedikerat processflöde för stadig robusthet. Vishay siliconix AEC-Q101-kvalificerade SQ-serien är klassad för en maximal kopplingstemperatur på 175 °C och har n- och p-kanaliga trench FET-tekniker med låg påslagningsresistans i bly (Pb)- och halogenfria SO-kapslar.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

AEC-Q101-godkänd

100 % Rg och UIS-testad

Tunn 1.9 mm höjd

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.