Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

29 220,00 kr

(exkl. moms)

36 540,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +9,74 kr29 220,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4891
Tillv. art.nr:
SiSF20DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

52A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

69.4W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Transistorkonfiguration

Gemensam drain

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.75mm

Längd

3.4mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Gemensam – Drain Dual N-kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET

Mycket låg käll-till-källmotstånd

Integrerade n-kanals MOSFET med gemensam drain i ett kompakt och termiskt förbättrat paket

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.