Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

28 860,00 kr

(exkl. moms)

36 060,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +9,62 kr28 860,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4891
Tillv. art.nr:
SiSF20DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

52A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Maximal effektförlust Pd

69.4W

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Gemensam drain

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Längd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.75mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

Relaterade länkar