Vishay N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

21 276,00 kr

(exkl. moms)

26 595,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,092 kr21 276,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6854
Tillv. art.nr:
SiSS22LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

92.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Höjd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 är en N-kanal 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM)

Inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.