Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS862ADN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

232,30 kr

(exkl. moms)

290,375 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 8 900 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1009,292 kr232,30 kr
125 - 2258,369 kr209,23 kr
250 - 6007,898 kr197,45 kr
625 - 12256,039 kr150,98 kr
1250 +5,206 kr130,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4951
Tillv. art.nr:
SIS862ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiS862ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.15mm

Width

3.15 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-38-850

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

relaterade länkar