Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 451,00 kr

(exkl. moms)

10 563,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,817 kr8 451,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4889
Tillv. art.nr:
SIS862ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

52A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

11mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

39W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.07mm

Längd

3.15mm

Bredd

3.15 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET

Mycket låg RDS x Qg meritvärde (FOM)

Avstämd för lägsta RDS x Qoss FOM