Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 451,00 kr

(exkl. moms)

10 563,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,817 kr8 451,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4889
Tillv. art.nr:
SIS862ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiS862ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

relaterade länkar