Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

108,08 kr

(exkl. moms)

135,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 14 910 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,808 kr108,08 kr
100 - 4909,206 kr92,06 kr
500 - 9908,086 kr80,86 kr
1000 +7,045 kr70,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3920
Tillv. art.nr:
SiSS12DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

relaterade länkar