Vishay SiSS26LDN Type N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS26LDN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

116,59 kr

(exkl. moms)

145,74 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +11,659 kr116,59 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5033
Tillv. art.nr:
SISS26LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS26LDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Height

0.78mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

relaterade länkar