Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7895
Tillv. art.nr:: SI3421DV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

97,00 kr

(exkl. moms)

121,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Håller på att utgå

Slutlig(a) 3 460 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 180	4,85 kr	97,00 kr
200 - 480	3,64 kr	72,80 kr
500 - 980	3,153 kr	63,06 kr
1000 - 1980	2,901 kr	58,02 kr
2000 +	2,279 kr	45,58 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7895
Tillv. art.nr:: SI3421DV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Kapseltyp	TSOP
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	19.2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	21nC
	Maximal effektförlust Pd	2.7W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Kapseltyp TSOP
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 19.2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC
	Maximal effektförlust Pd 2.7W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 19.2mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 4.2W and continuous drain current of 8A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• DC/DC converter

• For mobile computing/consumer

• Load switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested