Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7282
Tillv. art.nr:: SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 507,00 kr

(exkl. moms)

8 133,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 maj 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,169 kr	6 507,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7282
Tillv. art.nr:: SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	1.4W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.2nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Dubbel
	Längd	3.05mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp TSOP
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 1.4W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.2nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Dubbel
	Längd 3.05mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays ytmonterade MOSFET med dubbla kanaler (både P- och N-kanaler) är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 20 V. MOSFET har ett drain-source-motstånd på 58 mohm vid en gate-source-spänning på 4,5 V. Den har kontinuerliga dräneringsströmmar på 3,9 A och 2,1 A. Den har en maximal nominell effekt på 1,4 W och 1,3 W. Den har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogenfria

• Fri från bly (Pb)

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• DC/DC-omvandlare

• Drivare: motor, solenoid, relä

• Lastomkopplare för bärbara enheter

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-testad