Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7282
Tillv. art.nr:: SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 507,00 kr

(exkl. moms)

8 133,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 08 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,169 kr	6 507,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7282
Tillv. art.nr:: SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Kapseltyp	TSOP
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.4W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Dubbel
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1mm
	Längd	3.05mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Kapseltyp TSOP
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.4W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Dubbel
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1mm
	Längd 3.05mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. The MOSFET has a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain currents of 3.9A and 2.1A. It has a maximum power rating of 1.4W and 1.3W. It has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converters

• Drivers: motor, solenoid, relay

• Load switch for portable devices

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested