Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 812-3160
- Tillv. art.nr:
- SI3477DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
178,30 kr
(exkl. moms)
222,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 8,915 kr | 178,30 kr |
| 200 - 480 | 8,372 kr | 167,44 kr |
| 500 - 980 | 8,008 kr | 160,16 kr |
| 1000 - 1980 | 7,118 kr | 142,36 kr |
| 2000 + | 6,692 kr | 133,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 812-3160
- Tillv. art.nr:
- SI3477DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 4.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -10, +10V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.1mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 4.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -10, +10V | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.1mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET