Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1,90 kr

(exkl. moms)

2,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 241,90 kr
25 - 991,23 kr
100 - 4990,90 kr
500 +0,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
735-212
Tillv. art.nr:
SI2301HDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

P-kanal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-3.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

-20V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.142Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
IL

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.