Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

95,42 kr

(exkl. moms)

119,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,771 kr95,42 kr
200 - 4803,528 kr70,56 kr
500 - 9802,963 kr59,26 kr
1000 - 19802,627 kr52,54 kr
2000 +2,386 kr47,72 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3189
Tillv. art.nr:
SI3993CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

TSOP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

188mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.2nC

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Längd

3.1mm

Bredd

1.7mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Effekt-MOSFET från Vishay TrenchFET-serien, 30 V drain-källspänning, 2,3 A kontinuerlig drain-ström – SI3993CDV-T1-GE3


Denna effekt-MOSFET är en ytmonterad P-kanal-transistor som är utformad för omkopplings- och lasthanteringsroller i kompakta elektroniska enheter. Den tillhandahåller en isolerad transistorkonfiguration i ett TSOP-paket med låg profil och är avsedd för tillämpningar som kräver måttlig strömhantering och kontrollerad grindstyrning inom en 30 V-spänningsmiljö.

Funktioner och fördelar:


• Förbättringsläge för P-kanal möjliggör enkel omkoppling på höga sidan
• Kontinuerlig toppavtappningsström på 2.3 A stöder måttliga belastningar
• Låg Rds(on) på 188 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Typisk grindladdning på 5.2 nC möjliggör snabba grindövergångar
• Maximal effektförlust på 1.4 W hanterar termisk belastning i små kort
• Sexpoligt ytmonterat paket möjliggör kompakt placering av kretskort

Användningsområden


• Lämplig för batteridrivna högspänningskopplingskretsar
• Idealisk för frånkoppling av DC-last och blockering av omvänd ström
• Används med strömhanteringsmoduler i konsumentenheter
• Kan användas för grindstyrning med nivåförskjutning i kompakta enheter

Vilka begränsningar för grinddrivning bör jag ta hänsyn till?


Enheten accepterar upp till ±20 V mellan grind och källa, så grinddrivkretsar måste hålla Vgs inom det intervallet för att förhindra grindbelastning.

Hur tolerant är den för extrema temperaturer under drift?


Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med kraftig termisk variation.

Hur många transistorelement har matrisen och hur många stift har förpackningen?


Chippet integrerar två element och paketet har sex stift för kortanslutningar.

Vad är den maximala drain-source-spänningen och hur påverkar det kretsdesignen?


MOSFET är klassad för 30 V mellan drain och källa, så den bör användas där försörjningsskenor och transienter förblir under det tröskelvärdet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.