Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7304
- Tillv. art.nr:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
10 323,00 kr
(exkl. moms)
12 903,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,441 kr | 10 323,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7304
- Tillv. art.nr:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 3.05mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.1W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 3.05mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade MOSFET med dubbla kanaler (både P- och N-kanaler) är en ny era-produkt med en dräneringskällspänning på 20 V och dräneringskällmotstånd på 36 mohm vid en grindkällspänning på 4,5 V. Den har en maximal nominell effekt på 3,1 W. MOSFET har en kontinuerlig dräneringsström på 4 A. Den har tillämpning i lastswitchar för bärbara enheter. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Fri från bly (Pb)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-testad
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET