Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal 25 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

143,35 kr

(exkl. moms)

179,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
25 +5,734 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3962P
Tillv. art.nr:
SiS110DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

24W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.15mm

Bredd

3.15 mm

Höjd

1.07mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Relaterade länkar