Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 814-1314
- Tillv. art.nr:
- SISS23DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
113,52 kr
(exkl. moms)
141,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 900 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 5,676 kr | 113,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 814-1314
- Tillv. art.nr:
- SISS23DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 195nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.78mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 195nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Höjd 0.78mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET