Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 787-9409
- Tillv. art.nr:
- SISA10DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
116,03 kr
(exkl. moms)
145,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,603 kr | 116,03 kr |
| 100 - 240 | 9,565 kr | 95,65 kr |
| 250 - 490 | 9,341 kr | 93,41 kr |
| 500 - 990 | 9,072 kr | 90,72 kr |
| 1000 + | 8,859 kr | 88,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9409
- Tillv. art.nr:
- SISA10DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.4mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 67.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET