Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN
- RS-artikelnummer:
- 178-3693
- Tillv. art.nr:
- SiS110DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
8 910,00 kr
(exkl. moms)
11 130,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 04 november 2026
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,97 kr | 8 910,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3693
- Tillv. art.nr:
- SiS110DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS110DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 24W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS110DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 24W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.07mm | ||
Bredd 3.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay Siliconix SiS110DN-serien MOSFET, 100 V drain-källspänning, 14,2 A kontinuerlig drain-ström – SiS110DN-T1-GE3
Funktioner och fördelar:
Användningsområden
Vilken monteringsstil kräver den för montering?
Hur brett temperaturområde kan den tolerera i drift?
Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?
Hur många stift har paketet för kretsintegrering?
Är denna del specificerad för fordonsanvändning?
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
