Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

183,34 kr

(exkl. moms)

229,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 160 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1809,167 kr183,34 kr
200 - 4807,247 kr144,94 kr
500 - 9806,418 kr128,36 kr
1000 - 19805,499 kr109,98 kr
2000 +4,581 kr91,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1323
Tillv. art.nr:
SISS27DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

23A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

92nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal effektförlust Pd

57W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.78mm

Bredd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.