Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 påse med 2 enheter)*

41,89 kr

(exkl. moms)

52,362 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per påse*
2 - 1820,945 kr41,89 kr
20 - 9819,71 kr39,42 kr
100 - 19817,75 kr35,50 kr
200 - 49816,69 kr33,38 kr
500 +15,735 kr31,47 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
768-9307
Tillv. art.nr:
SISA04DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.73V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

52W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Längd

3.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.