Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 994,00 kr

(exkl. moms)

14 994,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 12 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,998 kr11 994,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-3701
Tillv. art.nr:
SiSS12DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

59nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.15mm

Bredd

3.15 mm

Höjd

1.07mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Relaterade länkar