STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 950,00 kr

(exkl. moms)

21 200,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,78 kr16 950,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7300
Tillv. art.nr:
STS5NF60L
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOIC

Serie

DeepGate, STripFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4 mm

Höjd

1.65mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar