STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 168-7300
- Tillv. art.nr:
- STS5NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
16 950,00 kr
(exkl. moms)
21 200,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,78 kr | 16 950,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7300
- Tillv. art.nr:
- STS5NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4 mm | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4 mm | ||
Höjd 1.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 60 V Förbättring SOIC STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V Förbättring H2PAK STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 120 A 60 V Förbättring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 40 V Förbättring TO-252 STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 20 V Förbättring SOIC, STripFET
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 545 A 60 V Förbättring TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 40 A 200 V Förbättring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 24 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET
