STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
178-5118
Tillv. art.nr:
STS6NF20V
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

STripFET

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.5nC

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Höjd

1.25mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.