STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

33,04 kr

(exkl. moms)

41,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 27 enhet(er) levereras från den 11 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 133,04 kr
2 +32,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
760-9673
Tillv. art.nr:
STP260N6F6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

DeepGate, STripFET

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

183nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

15.75mm

Bredd

4.6 mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar