STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 168-8030
- Tillv. art.nr:
- STB40NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
32 146,00 kr
(exkl. moms)
40 182,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 32,146 kr | 32 146,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8030
- Tillv. art.nr:
- STB40NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 75nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 75nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 9.35mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II