Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 165-6904
- Tillv. art.nr:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 555,00 kr
(exkl. moms)
4 443,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,185 kr | 3 555,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6904
- Tillv. art.nr:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 700mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.48mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12/12 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 340mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 700mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.48mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12/12 V | ||
Maximal effektförlust Pd 340mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad 1.1 A 20 V Förbättring SC-88, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad 1.3 A 20 V Förbättring SC-88, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Effekt-MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 12 A 12 V Förbättring SC-70, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal 210 mA 20 V Förbättring SC-75, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 0.5 A 20 V Förbättring SC-89, TrenchFET
