Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

166,65 kr

(exkl. moms)

208,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +3,333 kr166,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3091
Tillv. art.nr:
SI1922EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SC-88

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

263mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.6nC

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.