Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

114,02 kr

(exkl. moms)

142,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1805,701 kr114,02 kr
200 - 4805,018 kr100,36 kr
500 - 9804,223 kr84,46 kr
1000 - 19803,993 kr79,86 kr
2000 +3,455 kr69,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1225
Tillv. art.nr:
SIA517DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SC-70

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8, +8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.7nC

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Bredd

2.15mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.8mm

Längd

2.15mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.