Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-89-6, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

102,38 kr

(exkl. moms)

127,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 360 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1805,119 kr102,38 kr
200 - 4804,811 kr96,22 kr
500 - 9804,357 kr87,14 kr
1000 - 19804,099 kr81,98 kr
2000 +3,842 kr76,84 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9055
Tillv. art.nr:
SI1029X-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SC-89-6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

250mW

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

750nC

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.6mm

Längd

1.7mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.