Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 812-3094
Tillv. art.nr:: SI1553CDL-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

64,70 kr

(exkl. moms)

80,88 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 560 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	3,235 kr	64,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 812-3094
Tillv. art.nr:: SI1553CDL-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	700mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Kapseltyp	SC-70-6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	1.48mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	340mW
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	12, -12V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.2nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.35mm
	Längd	2.2mm
	Höjd	1mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 700mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Kapseltyp SC-70-6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 1.48mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 340mW
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 12, -12V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.2nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.35mm
	Längd 2.2mm
	Höjd 1mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

MOSFET från Vishay TrenchFET-serien, 20 V maximal drain-källspänning, 700 mA maximal kontinuerlig drain-ström - SI1553CDL-T1-GE3

Denna MOSFET är en kompakt ytmonterad transistor med två kanaler som är utformad för omkopplings- och analoga uppgifter i små monteringar. Den integrerar både P-kanal- och N-kanal-enheter på ett enda chip, vilket möjliggör komplementära switchtopologier och förenklade krav på fotavtryck för konstruktörer som arbetar med lågspänningsströmsskenor och signalnivåomkoppling.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg Rds(on) på 1.48 mΩ för minskade ledningsförluster
• Typisk grindladdning Qg på 1.2 nC för snabbare grinddrivarrespons
• Kontinuerlig avtappningsström på 700 mA för omkoppling vid måttlig belastning
• Maximal Vds på 20 V för att stödja lågspänningsdomäner
• Effektförlustkapacitet på 340 mW för att hantera termiska belastningar

Användningsområden

• Lämplig för batterihantering och strömfördelningskretsar
• Idealisk för lastväxling i bärbara instrument
• Används med nivåväxlande och kompletterande FET-steg
• Kan användas för lågspännings drivsteg för motorstyrning

Vilken kapslingstyp används och hur många stift finns det?

Den levereras i ett sexpoligt SC-70 SMD-paket som sparar kortyta samtidigt som separata terminaler för dubbla enheter tillhandahålls.

Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktionen respektera?

Gate-till-källspänningen måste hållas inom ±12 V för att förhindra enhetsbelastning och säkerställa säker drift.

Vilket driftstemperaturområde kan förväntas vid implementering?

Den tål ett brett omgivningsområde från -55 °C upp till 150 °C, vilket stöder krävande termiska miljöer.

Innehåller enheten flera element per matris och hur påverkar det layouten?

Chippen rymmer två diskreta element, vilket möjliggör speglad routing för komplementära kretsar och minskar antalet komponenter.