Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

88,925 kr

(exkl. moms)

111,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 05 januari 2026
  • Sista 75 enhet(er) levereras från den 12 januari 2026
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2253,557 kr88,93 kr
250 - 6003,342 kr83,55 kr
625 - 12253,02 kr75,50 kr
1250 - 24752,849 kr71,23 kr
2500 +2,666 kr66,65 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
152-6358
Tillv. art.nr:
SI2302DDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

Halogen-free

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg Tested

APPLICATIONS

Load Switching for Portable Devices

DC/DC Converter

relaterade länkar