Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7944
Tillv. art.nr:: SI2300DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

36,025 kr

(exkl. moms)

45,025 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 4 450 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	1,441 kr	36,03 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7944
Tillv. art.nr:: SI2300DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Kapseltyp	SOT-23
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	68mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	12 V
	Maximal effektförlust Pd	1.1W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.12mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.04mm
	Bredd	2.64 mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Kapseltyp SOT-23
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 68mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 12 V
	Maximal effektförlust Pd 1.1W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.12mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.04mm
	Bredd 2.64 mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 12V. It has drain-source resistance of 68mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 1.7W and continuous drain current of 3.6A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 2.5V and 4.5V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converter for portable devices

• Load switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested