Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3493DDV-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

42,675 kr

(exkl. moms)

53,35 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 975 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2251,707 kr42,68 kr
250 - 6001,608 kr40,20 kr
625 - 12251,452 kr36,30 kr
1250 - 24751,362 kr34,05 kr
2500 +1,281 kr32,03 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9713
Tillv. art.nr:
SI3493DDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

TSOP

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

51mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.1mm

Width

1.7 mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar